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ZGSOI 纳秒光开关芯片阵列

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：2708

SOI 纳秒光开关芯片阵列该产物基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
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ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：2939

9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产物。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
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ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：2794

9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产物。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
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ZG9bit 可调光延时线芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：2723

9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产物。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
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ZG单片集成 9bit 可调光延时线芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：2669

单片集成 9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产物。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
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ZGSOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：2605

SOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产物。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
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ZG硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

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硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产物。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
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窜骋厂翱滨纳秒光开关芯片阵列

更新时间：2025-05-10

型号：ZG

浏览量：3037

厂翱滨纳秒光开关芯片阵列该产物基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
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